半导体材料系列报告之一：国际形式严峻，国产半导体材料行业如何发展

　　摘要

　　半导体技术发展趋势：新材料和新架构的不断更替给半导体材料市场创造新机遇。

　　逻辑器件：当摩尔定律迈向极限，总会有新的材料和架构出现。随着制程的不断微缩，晶体管中栅极、介质层等尺寸变小，使得栅的控制能力不断下降，28nm节点，氧化铪、氧化锆等HighK介质和TiN等金属栅增强了栅控制力；当制程进一步微缩，FinFET架构应运而生。当前材料上，介电材料与互联金属不断优化，研发2D材料优化器件性能，使用钴等金属来增强互联效率；架构上，台积电开始采用GAAFET量产，持续提升能效比与集成密度。

　　DRAM：当前内存厂商开始采用铪、锆等HighK材料，来增强电荷控制能力；此外，研发铁电材料，开辟3D架构，突破容量瓶颈。

　　NAND：对于未来3DNAND的扩展，字线（WL）堆叠以及内存单元的特征尺寸缩小将继续成为关键驱动因素。在没有产生颠覆性技术以前，更高的层数是NAND增加内存单元的主要路径。此外，在WL部分，使用Mo代替W，可能会给Mo相关产品带来更多市场空间。

　　先进封装：摩尔定律迈向极限，人工智能浪潮带来更多算力需求，先进封装需求激增，驱动IC载板、塑封料、底填胶等材料市场扩容。

　　第三代半导体：新能源车、5G基站等场景催生百亿级增量市场，碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）引领功率与射频半导体革新。

　　目前国际形势及国家政策下半导体如何发展？

　　光刻胶、碳化硅、氮化镓、氧化镓等半导体材料被列入“商业管制清单”，然而我国国内部分关键半导体材料国产化率仍然较低，市场格局分散。国家通过政策、基金等方式，坚定支持我国实现半导体产业链的自主可控。

　　伴随半导体技术发展，新能源、AI等市场需要，国产化率较低的高端光刻胶、掩膜版、先进封装材料、前驱体、三/四代半导体在半导体产业链自主可控中扮演的角色越来越重要，市场空间可观，兼具战略及商业价值。